就
是
對(duì)
待
工
作
的
態(tài)
度
,
個(gè)產(chǎn)品,
做到極致認(rèn)真
每一組數(shù)據(jù)
新 聞 動(dòng) 態(tài)
NEWS
半導(dǎo)體制造與封裝的界限
半導(dǎo)體制造與封裝,雖同為芯片生產(chǎn)流程中不可或缺的一環(huán),但它們的目標(biāo)與關(guān)注點(diǎn)截然不同。前端制造的核心在于在晶圓上精確構(gòu)建出復(fù)雜的電路圖案,這一過(guò)程對(duì)潔凈度要求極高,任何微小的塵埃都可能對(duì)微小的電路結(jié)構(gòu)造成極大的影響。因此,前端制造通常在高度控制的潔凈室環(huán)境中進(jìn)行,確保芯片的質(zhì)量。
而封裝則聚焦于保護(hù)這些裸露的芯片,通過(guò)封裝材料為芯片提供物理支撐、環(huán)境隔離以及電氣連接。封裝不僅增強(qiáng)了芯片的物理強(qiáng)度和環(huán)境耐受性,還使得芯片能夠更容易地集成到各種電子設(shè)備中。晶圓減薄作為FEOL與BEOL的分界點(diǎn),標(biāo)志著制造階段的結(jié)束和封裝階段的開(kāi)始。減薄后的晶圓由晶圓廠出貨給封裝廠,進(jìn)一步加工成最終的產(chǎn)品形態(tài)。
半導(dǎo)體制造工藝復(fù)雜多樣,涉及多個(gè)關(guān)鍵步驟和多種技術(shù)手段。以下總結(jié)了一些主要的工藝技術(shù)。
光刻是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝之一,它利用光化學(xué)反應(yīng)原理將電路圖案精確地轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過(guò)程包括涂膠(在晶圓表面涂覆一層光刻膠)、曝光(利用光刻機(jī)將掩模版上的圖案投影到光刻膠上)、顯影(通過(guò)化學(xué)處理去除或保留光刻膠上的特定部分)和烘烤(無(wú)塵潔凈烘箱固化光刻膠以增強(qiáng)其穩(wěn)定性)等步驟。
無(wú)塵潔凈烘箱
潔凈度:Class100、1000
溫度:RT+15~200/300/400℃;
氣體:N2
計(jì)時(shí)功能:可選
設(shè)備材質(zhì):內(nèi)部SUS304不銹鋼
工作尺寸(mm):
450×450×500
500×500×550
600×700×800
(可定制)
網(wǎng)板:活動(dòng)式2-5塊
運(yùn)行模式:定值或程式
操作界面:按鍵或彩色觸摸屏
潔凈度:Class100、1000
溫度:RT+15~200/300/400℃;
氣體:N2
計(jì)時(shí)功能:可選
設(shè)備材質(zhì):內(nèi)部SUS304不銹鋼
工作尺寸(mm):
450×450×500
500×500×550
600×700×800
(可定制)
網(wǎng)板:活動(dòng)式2-5塊
運(yùn)行模式:定值或程式
操作界面:按鍵或彩色觸摸屏
氮?dú)鉂崈艉嫦?nbsp; 光刻膠無(wú)塵烘箱用途
適用于IC封裝、光刻膠堅(jiān)膜固化、銀膠固化、墨點(diǎn)烘干、電子液晶顯示、LCD、CMOS、MEMS、醫(yī)藥、實(shí)驗(yàn)室等生產(chǎn)及科研.
驅(qū)趕膠中的溶劑
提高膠對(duì)襯底的黏附性
提高膠的抗腐蝕能力
優(yōu)化膠的光學(xué)吸收特性
提高涂膠的均勻性
提高條寬控制能力
通過(guò)前烘,基片上的光刻膠基本固化。