就
是
對
待
工
作
的
態(tài)
度
，
個產品，
做到極致認真
致
每一組數(shù)據(jù)
-
智能型HMDS真空系統(tǒng)（JS-HMDS90-AI）
-
潔凈烘箱，百級無塵烘箱
-
氮氣烘箱，精密充氮烘箱
-
LCP熱處理烘箱，LCP纖維氮氣烘箱
-
熱風循環(huán)真空烘箱，高溫熱風真空烤箱
-
HMDS預處理系統(tǒng)(JS-HMDS90 )
-
智能型無塵無氧烘箱（PI烤箱）
-
真空無氧固化爐，高溫無氧烘箱
-
精密烤膠臺，高精度烘膠機
-
超低溫試驗箱，零下-120度高低溫箱
新 聞 動 態(tài)
NEWS
HMDS烘箱在第三代半導體材料中的工藝
第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（禁帶寬度Eg>2.3eV）的半導體材料。其中又以SiC和GaN為最核心的材料。然而這些新材料襯底在光刻模塊中的標準步驟是：脫水烘烤、HMDS prime、抗蝕劑旋轉/噴涂、軟烘烤、對準、曝光、曝光后烘烤、顯影硬烘烤和除渣。
HMDS prime - 在晶圓表面涂上附著力促進劑。附著力促進劑用于與晶圓表面發(fā)生化學反應，并用有機官能團取代 -OH 基團，與羥基不同，該官能團對光刻膠具有良好的附著力。硅烷通常用于此目的，最常見的是六甲基二硅烷 (HMDS)。
施加粘合促進劑的優(yōu)選方法是將基材置于 HMDS 蒸汽中，通常是在升高的溫度和降低的壓力下。這允許在沒有過多 HMDS 沉積的情況下對基材進行良好的涂覆，并且更高的溫度會導致與硅烷醇基團的反應更完全。
文中所要求的HMDS蒸汽及升高溫度和降低壓力的制作工藝，可在HMDS烘箱中完成，無需獨立操作，一鍵作業(yè)。
HMDS烘箱技術規(guī)格：
內腔尺寸：300×300×300、450×450×450（mm）（可定制）
材質：內箱采用 316L 醫(yī)用級不銹鋼
溫度范圍：RT+30-200℃
真空度：≤1torr
電源及總功率：AC 220V±10% / 50HZ，總功率約2.8KW
控制儀表：人機界面，一鍵運行
擱板層數(shù)：2 層
HMDS控制：可控制HMDS添加量
真空泵：無油渦旋真空泵
HMDS藥液泄漏報警提示功能
HMDS低液位報警提示功能
工藝數(shù)據(jù)記錄功能
藥液管道預熱功能
程序鎖定保護等功能
