第三代半導體主要是 SiC 和GaN HMDS預處理系統(tǒng),與第一二代半導體材料相比,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率等性能優(yōu)勢,所以又叫寬禁帶半導體材料,特別適用于 5G 射頻器件和高電壓功率器件。
碳化硅是一種無機物,化學式為 SiC,是用天然硅石、碳、木屑、工業(yè)鹽作基本合成原料,在一種特殊的電阻爐中加熱反應合成的.
碳化硅主要應用領域有電動汽車、充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網等。Yole 數(shù)據(jù)顯示,到 2025 年,全球電力電子領域碳化硅市場規(guī)模將超過 30 億美元,較 2020 年的 7 億美元 CAGR 超過 37%。具體到汽車應用領域,碳化硅HMDS預處理系統(tǒng)應用于新能源車,可以降低損耗、減小模塊體積重量、提升續(xù)航能力。新能源汽車技術的發(fā)展,對功率器件提出了高效、高功率、高功率密度的要求,受益于新能源汽車的放量,SiC 器件的市場份額在新能源汽車領域將會迎來爆發(fā)增長。2015年,汽車巨頭豐田就展示了全碳化硅模組的PCU。相比之下,碳化硅PCU僅為傳統(tǒng)硅PCU的體積的1/5,重量減輕35%,電力損耗從20%降低到5%。碳化硅器件的高頻高溫高效特性完美契合車載器件的需求。碳化硅在電動汽車中的應用分為主驅動器,充電系統(tǒng)以及 DCDC 電源。