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三星電子首次實現(xiàn)GAA“多橋-通道場效應(yīng)晶體管”(簡稱: MBCFET Multi-Bridge-Channel FET)應(yīng)用打破了FinFET技術(shù)的性能限制,通過降低工作電壓水平來提高能耗比,同時還通過增加驅(qū)動電流增強芯片性能。
三星首先將納米片晶體管應(yīng)用于高性能、低功耗計算領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片,并計劃將其擴大至移動處理器領(lǐng)域。
相較三星5納米(nm)而言,優(yōu)化的3納米(nm)工藝,性能提高23%,功耗降低45%,芯片面積減少16%. 2022年6月30日,作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子宣布, 基于3nm全環(huán)繞柵極(Gate-All-AroundT,簡稱 GAA)制程工藝節(jié)點的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。