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作
的
態(tài)
度
，
個產品，
對待每一
做到極致認真
每一個零件
細
致
致
每一組數(shù)據
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智能型HMDS真空系統(tǒng)（JS-HMDS90-AI）
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潔凈烘箱，百級無塵烘箱
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氮氣烘箱，精密充氮烘箱
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PI固化厭氧烘箱，聚酰亞胺固化爐使用注意事項
來源:
|
作者:pro00ad5e
|
發(fā)布時間: 2015-05-21
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PI固化專用厭氧烘箱，聚酰亞胺固化爐應用機制：
微機電系統(tǒng)(MEMS)是微電子技術與機械,光 學等領域交叉融合的產物,是在IC工藝技術基礎上的延伸和拓
展,是微電子技術應用的新突破。犧牲層技術作為MEMS的關鍵技術之一,是利用不同材料在同一種腐蝕液(或腐蝕
氣)中腐蝕速率的差異,選擇性地將結構圖形與襯底之間的材料(即犧牲層材料)刻蝕掉,進行結構釋放,形成空腔上
膜或其他懸空結構的一種微加工技術。
與其它光刻膠,金屬相比,光敏性PI作為犧牲層材料時有以下一些優(yōu)點:粘度高,容易制得高厚度的犧牲層;
具有較好的流動性,使得犧牲層表面更易于平坦化,有利于制作平整的結構;具有出色的耐熱性能,使其更容易
與其他MEMS工藝相兼容;對酸堿穩(wěn)定,耐腐蝕,且不溶于丙酮、乙醇等多數(shù)有機溶劑。因此,光敏聚酰亞胺是犧牲層
的首選材料。
PI固化專用厭氧烘箱，聚酰亞胺固化爐技術參數(shù)：
1. 溫度范圍：RT+50～500℃
2. 腔體尺寸(cm)：W50×D50×H50；可自定
3. 外形尺寸(cm):約173×160×119mm（W×D×H）；
4. 內膽材質：SUS304鏡面不銹鋼；
5. 加熱器：特制無塵加熱器；
6. 氧含量指標：≤ 50ppm
7. 電源：380V/50HZ,三相五線制
8. 控制部分
a. 控制：曲線升溫模式；
b. 控溫儀表：觸摸屏溫控儀；
c. 控溫段數(shù)：多段數(shù)，多工藝；
d. 超溫報警：獨立限溫控制；
9.氮氣控制：裝有雙通道可調式氮氣流量計，全程通氮氣。
10.輔助降溫：風冷、水冷
11.厭氧烘箱應用于聚酰亞胺層（PI）固化烘烤.應用聚酰亞胺時需要注意的問題是厚度控制和亞胺化處理。一旦
亞胺化處理不當,聚酰亞胺膜層將發(fā)生降解和裂紋的現(xiàn)象,使其性能下降。另外,不同的亞胺化方法,所獲得聚酰亞
胺薄膜材料的性能也不一樣,實驗中需嚴格控制亞胺化過程。
12.亞胺化的過程包含二個步驟:圖形化后的預亞胺化和完全亞胺化。多次實驗后采用階梯升溫過程,亞胺化效果
最佳。采用程控烘箱進行亞胺化,烘箱內為純N2氛圍,如果升溫速率過快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮如果升溫速
率過快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮發(fā),而內部的溶劑和水蒸氣卻殘留在薄膜內,則容易在犧牲層中產生氣孔開裂;
如果保溫時間不夠,將使溶劑不能完全排除,隨后的高溫亞胺化過程中同樣會產生氣泡甚至開裂,就不能形成機械
強度良好的亞胺膜.
微機電系統(tǒng)(MEMS)是微電子技術與機械,光 學等領域交叉融合的產物,是在IC工藝技術基礎上的延伸和拓
展,是微電子技術應用的新突破。犧牲層技術作為MEMS的關鍵技術之一,是利用不同材料在同一種腐蝕液(或腐蝕
氣)中腐蝕速率的差異,選擇性地將結構圖形與襯底之間的材料(即犧牲層材料)刻蝕掉,進行結構釋放,形成空腔上
膜或其他懸空結構的一種微加工技術。
與其它光刻膠,金屬相比,光敏性PI作為犧牲層材料時有以下一些優(yōu)點:粘度高,容易制得高厚度的犧牲層;
具有較好的流動性,使得犧牲層表面更易于平坦化,有利于制作平整的結構;具有出色的耐熱性能,使其更容易
與其他MEMS工藝相兼容;對酸堿穩(wěn)定,耐腐蝕,且不溶于丙酮、乙醇等多數(shù)有機溶劑。因此,光敏聚酰亞胺是犧牲層
的首選材料。
PI固化專用厭氧烘箱，聚酰亞胺固化爐技術參數(shù)：
1. 溫度范圍：RT+50～500℃
2. 腔體尺寸(cm)：W50×D50×H50；可自定
3. 外形尺寸(cm):約173×160×119mm（W×D×H）；
4. 內膽材質：SUS304鏡面不銹鋼；
5. 加熱器：特制無塵加熱器；
6. 氧含量指標：≤ 50ppm
7. 電源：380V/50HZ,三相五線制
8. 控制部分
a. 控制：曲線升溫模式；
b. 控溫儀表：觸摸屏溫控儀；
c. 控溫段數(shù)：多段數(shù)，多工藝；
d. 超溫報警：獨立限溫控制；
9.氮氣控制：裝有雙通道可調式氮氣流量計，全程通氮氣。
10.輔助降溫：風冷、水冷
11.厭氧烘箱應用于聚酰亞胺層（PI）固化烘烤.應用聚酰亞胺時需要注意的問題是厚度控制和亞胺化處理。一旦
亞胺化處理不當,聚酰亞胺膜層將發(fā)生降解和裂紋的現(xiàn)象,使其性能下降。另外,不同的亞胺化方法,所獲得聚酰亞
胺薄膜材料的性能也不一樣,實驗中需嚴格控制亞胺化過程。
12.亞胺化的過程包含二個步驟:圖形化后的預亞胺化和完全亞胺化。多次實驗后采用階梯升溫過程,亞胺化效果
最佳。采用程控烘箱進行亞胺化,烘箱內為純N2氛圍,如果升溫速率過快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮如果升溫速
率過快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮發(fā),而內部的溶劑和水蒸氣卻殘留在薄膜內,則容易在犧牲層中產生氣孔開裂;
如果保溫時間不夠,將使溶劑不能完全排除,隨后的高溫亞胺化過程中同樣會產生氣泡甚至開裂,就不能形成機械
強度良好的亞胺膜.
