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PI無氧烘箱工藝流程
來源: | 作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時間: 2023-04-06 | 661 次瀏覽 | 分享到:

  PI光刻膠是一種高性能、高精度的光刻膠，被廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、MEMS等領(lǐng)域

PI無氧烘箱工藝的必要性：

  PI光刻膠的預(yù)烘是將其涂覆在襯底上后，在特定溫度下進(jìn)行一段時間的烘千，使PI溶液中的溶劑揮發(fā)掉，PI形成一定的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)并增強其附著性。

PI無氧烘箱工藝要求（參考）：

  1. 在低氧狀態(tài)下使用

  2. 真空加熱，升溫至1xx℃

  3. 再溫至1xx℃(約xh),保溫約 30min;

  4. 繼續(xù)升溫至x00℃，視涂層厚度不同加熱10-x0min

  5. 保溫 約60min；

  6. 降溫至100℃以下

PI無氧烘箱性能：

溫度：室溫+50～400℃

氧濃度：≤10ppm 

真空度：1Torr

冷卻裝置：輔助降溫

控制方式：可程式運行