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就

是

對(duì)

待

工

作

的

態(tài)

度

，


個(gè)產(chǎn)品，

對(duì)待每一

做到極致認(rèn)真

每一個(gè)零件
細(xì)
致

每一組數(shù)據(jù)

  • 智能型HMDS真空系統(tǒng)（JS-HMDS90-AI）
  • 潔凈烘箱，百級(jí)無(wú)塵烘箱
  • 氮?dú)夂嫦?，精密充氮烘?/div>
  • LCP熱處理烘箱，LCP纖維氮?dú)夂嫦?/div>
  • 熱風(fēng)循環(huán)真空烘箱，高溫?zé)犸L(fēng)真空烤箱
  • HMDS預(yù)處理系統(tǒng)(JS-HMDS90 )
  • 智能型無(wú)塵無(wú)氧烘箱（PI烤箱）
  • 真空無(wú)氧固化爐，高溫?zé)o氧烘箱
  • 精密烤膠臺(tái)，高精度烘膠機(jī)
  • 超低溫試驗(yàn)箱，零下-120度高低溫箱
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高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)
    發(fā)布時(shí)間: 2021-12-08 14:34    

高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)簡(jiǎn)介：

      高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)主要用于電子電器零組件、自動(dòng)化零部件、通訊組件、汽車配件、金屬、化學(xué)材料、塑料等行業(yè)，國(guó)防工業(yè)、航天、兵工業(yè)、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化,通過(guò)測(cè)試其材料對(duì)高、低溫的反復(fù)抵拉力及產(chǎn)品于熱脹冷縮產(chǎn)出的化學(xué)變化或物理傷害，可確認(rèn)產(chǎn)品的質(zhì)量,從精密的IC到重機(jī)械的組件，作為其產(chǎn)品改進(jìn)的依據(jù)或參考。以便考核試品的適應(yīng)性或?qū)υ嚻返男袨樽鞒龈倪M(jìn)、鑒定及出廠檢驗(yàn)用。

高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)技術(shù)性能：


機(jī)型

JS-GDCJ-100/150/200/500B

測(cè)試環(huán)境條件

環(huán)境溫度為+25℃、試驗(yàn)箱內(nèi)無(wú)試樣條件下

測(cè)試方法

GB/T 5170.2-1996 溫度試驗(yàn)設(shè)備

高溫室

預(yù)溫度范圍

RT～+200℃

升溫時(shí)間

RT+10℃→+200℃ ≤40min

注：升溫時(shí)間為高溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能

低溫室

預(yù)冷溫度范圍

RT~-70℃

降溫時(shí)間

RT → -70℃≤60min

注：降溫時(shí)間為低溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能

試驗(yàn)室（試樣區(qū)）

試驗(yàn)方式

氣動(dòng)風(fēng)門切換

 3 溫區(qū)沖擊試驗(yàn)條件（高溫-常溫-低溫）

 2 溫區(qū)沖擊試驗(yàn)條件（高溫-低溫）

溫度沖擊范圍

-55℃～ +80℃

溫度波動(dòng)度

±0.5℃

溫度偏差

±2.0℃

溫度恢復(fù)時(shí)間

≤5min

恢復(fù)條件

試樣：塑料封裝集成電路（均布）傳感器位置：試樣的上風(fēng)側(cè)

高溫曝露： RT~+150℃：≥30分鐘

環(huán)境溫度曝露：常溫

低溫曝露： RT~-55℃：≥30分鐘

試樣重量：4.5kg（如需要放置重的試樣，請(qǐng)?zhí)崆案嬷?/span>

制冷方式

水冷

高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)滿足標(biāo)準(zhǔn)：

1.GJB 150.5A-2009溫度沖擊試驗(yàn)

2.GJB 360B-2009溫度沖擊試驗(yàn)

3.GB/T 2424.13-2002/IEC 60068-2-33:1971電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則

4.GB/T 2423.22-2012/IEC 60068-2-14:2009溫度沖擊試驗(yàn)

5.GB/T 2423.1-2008/IEC6008-2-1-2007電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A：低溫

6.GB/T 2423.2-2008/IEC60068-2-2：2007 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B：高溫

7.GB/T 10589-2008 低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件

8.GB/T 11158-2008 高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件