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芯片制造的關(guān)鍵工藝
來(lái)源: | 作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時(shí)間: 2020-06-01 | 2967 次瀏覽 | 分享到:
芯片制造的關(guān)鍵工藝
沉積：制造芯片的第一步，通常是將材料薄膜沉積到晶圓上以及HMDS沉積（HMDS沉積烘箱）。材料可以是導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體。
光刻膠涂覆：進(jìn)行光刻前，首先要在晶圓上涂覆光敏材料“光刻膠”或“光阻”，然后將晶圓放入光刻機(jī)。
曝光：在掩模版上制作需要印刷的圖案藍(lán)圖。晶圓放入光刻機(jī)后，光束會(huì)通過(guò)掩模版投射到晶圓上。光刻機(jī)內(nèi)的光學(xué)元件將圖案縮小并聚焦到光刻膠涂層上。在光束的照射下，光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，光罩上的圖案由此印刻到光刻膠涂層。
計(jì)算光刻：光刻期間產(chǎn)生的物理、化學(xué)效應(yīng)可能造成圖案形變，因此需要事先對(duì)掩模版上的圖案進(jìn)行調(diào)整，確保最終光刻圖案的準(zhǔn)確。ASML將現(xiàn)有光刻數(shù)據(jù)及圓晶測(cè)試數(shù)據(jù)整合，制作算法模型，精確調(diào)整圖案。
烘烤與顯影：晶圓離開(kāi)光刻機(jī)后，要進(jìn)行烘烤（無(wú)塵烘箱）及顯影，使光刻的圖案永久固定。洗去多余光刻膠，部分涂層留出空白部分。
刻蝕：顯影完成后，使用氣體等材料去除多余的空白部分，形成3D電路圖案。
計(jì)量和檢驗(yàn)：芯片生產(chǎn)過(guò)程中，始終對(duì)晶圓進(jìn)行計(jì)量和檢驗(yàn)，確保沒(méi)有誤差。檢測(cè)結(jié)果反饋至光刻系統(tǒng)，進(jìn)一步優(yōu)化、調(diào)整設(shè)備。
離子注入：在去除剩余的光刻膠之前，可以用正離子或負(fù)離子轟擊晶圓，對(duì)部分圖案的半導(dǎo)體特性進(jìn)行調(diào)整。
視需要重復(fù)制程步驟：從薄膜沉積到去除光刻膠，整個(gè)流程為晶圓片覆蓋上一層圖案。而要在晶圓片上形成集成電路，完成芯片制作，這一流程需要不斷重復(fù)，可多達(dá)100次。
封裝芯片：最后一步，切割晶圓，獲得單個(gè)芯片，封裝烘烤（充氮烘箱）、封裝在保護(hù)殼中。這樣，成品芯片就可以用來(lái)生產(chǎn)電視、平板電腦或者其他數(shù)字設(shè)備了！