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國內(nèi)團(tuán)隊在2D半導(dǎo)體（氮氣烘箱）上取得了新突破
來源: | 作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時間: 2022-05-13 | 662 次瀏覽 | 分享到:

   南洋理工大學(xué)、北京大學(xué)、清華大學(xué)和北京量子信息科學(xué)研究院的研究人員最近展示了利用范德華力成功地將單晶滴定鍶（一種高 κ 鈣鈦礦氧化物）與二維半導(dǎo)體集成。他們的論文發(fā)表在Nature Electronics上，可以為開發(fā)新型晶體管和電子元件開辟新的可能性。

   研究人員在水溶性犧牲層上生長了高 κ 鈣鈦礦氧化物。隨后，他們從該層中取出鈣鈦礦氧化物，并使用彈性體載體（即聚二甲基硅氧烷或 PDMS）將其轉(zhuǎn)移到兩種類型的二維半導(dǎo)體（氮氣烘箱）上。他們特別使用了二硫化鉬和二硒化鎢，這兩種不同的二維半導(dǎo)體使他們能夠分別制造 n 型和 p 型晶體管。

  Renshaw Wang 和 Yang 在一系列測試中評估了他們制造的晶體管，發(fā)現(xiàn)它們?nèi)〉昧孙@著的成果。具體而言，二硫化鉬晶體管在1 V 的電源電壓和 66 mV dec-1 的最小亞閾值擺幅下表現(xiàn)出10的八次方的開/關(guān)電流比。

  作為他們最近研究的一部分，研究人員表明，他們創(chuàng)造的晶體管可用于制造高性能和低功耗互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體逆變器電路。未來，他們的設(shè)備可以大規(guī)模制造，用于開發(fā)低功耗的邏輯電路和微芯片。



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