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華中科大發(fā)表國(guó)際首篇光學(xué)晶圓缺陷檢測(cè)領(lǐng)域系統(tǒng)綜述
來(lái)源:https://doi.org/10.1088/2631-7990/ac64d7 | 作者:雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時(shí)間: 2022-05-10 | 622 次瀏覽 | 分享到:

SCIE期刊International Journal of Extreme Manufacturing(極端制造)編輯部邀請(qǐng),華中科大機(jī)械學(xué)院劉世元教授團(tuán)隊(duì)于4月21日在該刊上發(fā)表了“Optical wafer defect inspection at the 10 nm technology node and beyond(10nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)晶圓缺陷光學(xué)檢測(cè))”的綜述文章,對(duì)過(guò)去十年中與光學(xué)晶圓缺陷檢測(cè)技術(shù)有關(guān)的新興研究?jī)?nèi)容進(jìn)行了全面回顧。華中科大機(jī)械學(xué)院研究員朱金龍、博士后劉佳敏為該文共同第一作者,劉世元、朱金龍為共同通訊作者。

  

隨著智能終端、無(wú)線通信與網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、智能駕駛、云計(jì)算、智慧醫(yī)療等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,先進(jìn)集成電路的關(guān)鍵尺寸進(jìn)一步微縮至亞10nm尺度,圖形化晶圓上制造缺陷(包括隨機(jī)缺陷與系統(tǒng)缺陷)的識(shí)別、定位和分類變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。傳統(tǒng)明場(chǎng)檢測(cè)方法雖然是當(dāng)前晶圓缺陷檢測(cè)的主流技術(shù),但該方法受制于光學(xué)成像分辨率極限和弱散射信號(hào)捕獲能力極限而變得難以為繼,因此亟需探索具有更高成像分辨率和更強(qiáng)缺陷散射信號(hào)捕獲性能的缺陷檢測(cè)新方法。

晶圓缺陷光學(xué)檢測(cè)方法的最新進(jìn)展包含三個(gè)方面:缺陷可檢測(cè)性評(píng)估、光學(xué)缺陷檢測(cè)方法、后處理算法。缺陷可檢測(cè)性評(píng)估包含兩個(gè)方面:材料對(duì)缺陷可檢測(cè)性的影響、晶圓缺陷拓?fù)湫蚊矊?duì)缺陷可檢測(cè)性的影響。多樣化的光學(xué)缺陷檢測(cè)方法:晶圓缺陷光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)可根據(jù)實(shí)際使用的光學(xué)檢測(cè)量進(jìn)行分類,下圖展示了該綜述研究所總結(jié)的代表性晶圓缺陷檢測(cè)新方法,具體可劃分為明/暗場(chǎng)成像、暗場(chǎng)成像與橢偏協(xié)同檢測(cè)、離焦掃描成像、外延衍射相位顯微成像、X射線疊層衍射成像、太赫茲波成像缺陷檢測(cè)、軌道角動(dòng)量光學(xué)顯微成像。后處理算法:根據(jù)原始檢測(cè)圖像來(lái)識(shí)別和定位各類缺陷,關(guān)鍵在于確保后處理圖像(例如差分圖像)中含缺陷區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度應(yīng)明顯大于預(yù)定義的閾值,基于深度學(xué)習(xí)的缺陷檢測(cè)方法的實(shí)施流程非常簡(jiǎn)單,首先,捕獲足夠的電子束檢測(cè)圖像或晶圓光學(xué)檢測(cè)圖像(模擬圖像或?qū)嶒?yàn)圖像均可);其次,訓(xùn)練特定的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型,從而實(shí)現(xiàn)從檢測(cè)圖像中提取有用特征信息的功能;最后,用小樣本集測(cè)試訓(xùn)練后的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型,并根據(jù)表征神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)置信水平的預(yù)定義成本函數(shù)決定是否應(yīng)該重復(fù)訓(xùn)練。

 

盡管圖形化晶圓缺陷光學(xué)檢測(cè)一直是一個(gè)長(zhǎng)期伴隨IC制造發(fā)展的工程問(wèn)題,但通過(guò)與納米光子學(xué)、結(jié)構(gòu)光照明、計(jì)算成像、定量相位成像和深度學(xué)習(xí)等新興技術(shù)的融合,其再次煥發(fā)活力。其前景主要包含以下方面:為了提高缺陷檢測(cè)靈敏度,需要從檢測(cè)系統(tǒng)硬件與軟件方面協(xié)同創(chuàng)新;為了拓展缺陷檢測(cè)適應(yīng)性,需要更嚴(yán)謹(jǐn)?shù)匮芯咳毕菖c探測(cè)光束散射機(jī)理;為了改善缺陷檢測(cè)效率,需要更高效地求解缺陷散射成像問(wèn)題。除了IC制造之外,上述光學(xué)檢測(cè)方法對(duì)光子傳感、生物感知、混沌光子等領(lǐng)域都有廣闊的應(yīng)用前景。 

通過(guò)對(duì)上述研究工作進(jìn)行評(píng)述,從而闡明晶圓缺陷檢測(cè)技術(shù)的可能發(fā)展趨勢(shì),并為該領(lǐng)域的新進(jìn)入者和尋求在跨學(xué)科研究中使用該技術(shù)的研究者提供有益參考。