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制作光刻掩膜版用那些hmds烘箱設(shè)備
來源: | 作者:上海雋思半導(dǎo)體設(shè)備部 | 發(fā)布時(shí)間: 2024-10-21 | 373 次瀏覽 | 分享到:

掩膜版有多個(gè)名稱，也稱作光刻掩膜版、光罩、光刻版、掩膜基板、光掩模等等，是用來制作掩膜圖形的面板，常在芯片制作過程中使用，是圖形轉(zhuǎn)移的工具。掩膜版的制作是有工程師自己設(shè)計(jì)圖形提交，光刻機(jī)進(jìn)行掩膜版制作將圖形加工在掩膜版上，掩膜版制作完畢后通過曝光等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移至硅片或其他載體上，從而進(jìn)行后續(xù)的加工工藝。制作一塊光刻掩膜版并不僅僅是一臺(tái)光刻機(jī)就能完成的，而是需要一整條完整的產(chǎn)線。



詳細(xì)步驟如下：


01

提供掩膜基板HMDS烘箱預(yù)處理，然后在掩膜基板基板上涂覆一層光刻膠。



02

對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，形成光刻膠圖案。

03

采用電鑄工藝或物理氣相沉積工藝在所述金屬基板上于光刻膠圖案的直孔內(nèi)沉積一層掩膜材料。

04

去除掩膜基板和光刻膠圖案，得到初始掩膜板; 所述初始掩膜板具有多個(gè)呈陣列式排布的、開口尺寸等于蒸鍍所需的設(shè)計(jì)開孔尺寸的直孔通孔、及位于每相鄰兩個(gè)直孔通孔之間的擋墻。

05

在初始掩膜板的上、下表面分別形成上光致刻蝕層圖案、下光致刻蝕層圖案; 所述上光致刻蝕層圖案完全覆蓋所述擋墻的上表面，所述下光致刻蝕層圖案僅覆蓋所述擋墻的下表面的中間部分。

06

采用化學(xué)刻蝕工藝對(duì)初始掩膜板的下表面及直孔通孔的內(nèi)壁進(jìn)行刻蝕，形成具有斜錐角的曲線形凹槽; 該曲線形凹槽的開口尺寸自下而上逐漸減小至蒸鍍所需的設(shè)計(jì)開孔尺寸。


   上海雋思儀器公司坐落于中國上海，奉賢區(qū)柘林鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)。公司是一個(gè)專注多年熱處理設(shè)備、儀器設(shè)備的生產(chǎn)廠家。主要業(yè)務(wù)項(xiàng)目有：半導(dǎo)體設(shè)備， 硅烷氣相沉積設(shè)備、精密熱板、HMDS預(yù)處理系統(tǒng)、HMDS烘箱、抗黏劑蒸鍍?cè)O(shè)備、無塵烘箱、潔凈烘箱，氮?dú)夂嫦?、無氧烘箱/PI烘箱、無塵無氧烘箱/PI固化烤箱、真空烘箱、真空無氧烘箱/BCB烘箱、氮?dú)夤瘛⒄婵沾鎯?chǔ)柜、干燥烘箱、超低溫試驗(yàn)箱、環(huán)境可靠性試驗(yàn)等設(shè)備，同時(shí)可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)非標(biāo)類最適用的產(chǎn)品。


HMDS烘箱

將六甲基二硅胺烷HMDS氣相沉積至半導(dǎo)體制造中硅片、磷化銦lnP、砷化鎵GaAs、鈮酸鋰LiNbO?、硫化鋅ZnS、掩膜版玻璃、石英片、藍(lán)寶石、晶圓、碳化硅等第三代、第四代半導(dǎo)體材料表面后經(jīng)系統(tǒng)加溫，它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。