就
是
對
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工
作
的
態(tài)
度
,
個產(chǎn)品,
做到極致認(rèn)真
每一組數(shù)據(jù)
新 聞 動 態(tài)
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當(dāng)制備好的晶圓經(jīng)過氧化處理后,便進入了芯片前道工藝的光刻工序,大家應(yīng)該都知道光刻機,如果將光刻機比作芯片行業(yè)的引擎,那么光刻膠就是助推引擎的燃料。
光刻膠(烤箱)就是圖中橙色的部分,也有人將其稱為光阻劑。光刻膠分為正膠和負(fù)膠,正膠經(jīng)過曝光后會溶解于顯影液,負(fù)膠則是相反的。按照曝光光源的波長分類,光刻膠分為g線,i線,KrF,ArF以及EUV光刻膠,由左到右,光刻膠對應(yīng)的曝光波長逐漸變短,先進的EUV光刻膠對應(yīng)曝光波長只有13.5nm,可用于10nm以下的芯片制程,但目前EUV光刻機只有荷蘭ASML能制造。
光刻膠的組分一直是國外廠商的機密,很難通過逆向解析的手段還原。一般而言,光刻膠的組分包括光引發(fā)劑,樹脂基體,單體以及助劑。當(dāng)光刻膠經(jīng)過紫外光照射后,發(fā)生一系列的物理化學(xué)變化,電路圖形就從掩膜版上轉(zhuǎn)移到光刻膠上面,經(jīng)過刻蝕后,晶圓片上就形成了對應(yīng)的圖案。