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國內(nèi)團隊在2D半導體（氮氣烘箱）上取得了新突破
來源: | 作者:雋思半導體設備部 | 發(fā)布時間: 2022-05-13 | 658 次瀏覽 | 分享到:

   南洋理工大學、北京大學、清華大學和北京量子信息科學研究院的研究人員最近展示了利用范德華力成功地將單晶滴定鍶（一種高 κ 鈣鈦礦氧化物）與二維半導體集成。他們的論文發(fā)表在Nature Electronics上，可以為開發(fā)新型晶體管和電子元件開辟新的可能性。

   研究人員在水溶性犧牲層上生長了高 κ 鈣鈦礦氧化物。隨后，他們從該層中取出鈣鈦礦氧化物，并使用彈性體載體（即聚二甲基硅氧烷或 PDMS）將其轉(zhuǎn)移到兩種類型的二維半導體（氮氣烘箱）上。他們特別使用了二硫化鉬和二硒化鎢，這兩種不同的二維半導體使他們能夠分別制造 n 型和 p 型晶體管。

  Renshaw Wang 和 Yang 在一系列測試中評估了他們制造的晶體管，發(fā)現(xiàn)它們?nèi)〉昧孙@著的成果。具體而言，二硫化鉬晶體管在1 V 的電源電壓和 66 mV dec-1 的最小亞閾值擺幅下表現(xiàn)出10的八次方的開/關電流比。

  作為他們最近研究的一部分，研究人員表明，他們創(chuàng)造的晶體管可用于制造高性能和低功耗互補金屬氧化物半導體逆變器電路。未來，他們的設備可以大規(guī)模制造，用于開發(fā)低功耗的邏輯電路和微芯片。



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